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SQJA68EP-T1_BE3

SQJA68EP-T1_BE3

SQJA68EP-T1_BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE

não conforme

SQJA68EP-T1_BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.79000 $0.79
500 $0.7821 $391.05
1000 $0.7742 $774.2
1500 $0.7663 $1149.45
2000 $0.7584 $1516.8
2500 $0.7505 $1876.25
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 92mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 280 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

IPA80R650CEXKSA2
SIHG33N65EF-GE3
FDT86246L
FDT86246L
$0 $/pedaço
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/pedaço
SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/pedaço
STS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG
$0 $/pedaço
HUF76409D3ST

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