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SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

SIHG33N65EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC

não conforme

SIHG33N65EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.93000 $7.93
10 $7.16100 $71.61
100 $5.93740 $593.74
500 $5.01970 $2509.85
1,000 $4.40789 -
2,500 $4.25493 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 650 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 31.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 109mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 171 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4026 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 313W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FDT86246L
FDT86246L
$0 $/pedaço
IXFH18N60P
IXFH18N60P
$0 $/pedaço
SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/pedaço
STS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG
$0 $/pedaço
HUF76409D3ST
SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3

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