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HUF76409D3ST

HUF76409D3ST

HUF76409D3ST

N-CHANNEL POWER MOSFET

não conforme

HUF76409D3ST Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
211350 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 63mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 485 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 49W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252-3 (DPAK)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/pedaço
FDD8782
FDD8782
$0 $/pedaço
IXTH50P10
IXTH50P10
$0 $/pedaço
SIDR668DP-T1-RE3
NVMFS4C302NT1G
NVMFS4C302NT1G
$0 $/pedaço
SI2338DS-T1-BE3

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