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SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

SI2338DS-T1-BE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET

compliant

SI2338DS-T1-BE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.55000 $0.55
500 $0.5445 $272.25
1000 $0.539 $539
1500 $0.5335 $800.25
2000 $0.528 $1056
2500 $0.5225 $1306.25
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 5.5A (Ta), 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 28mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 13 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 424 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.3W (Ta), 2.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23-3 (TO-236)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

BSC0805LSATMA1
SIHB22N60AE-GE3
SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/pedaço
P3M12160K3
APT6029BLLG
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
R6003KND3TL1
$0 $/pedaço
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/pedaço

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