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R6003KND3TL1

R6003KND3TL1

R6003KND3TL1

MOSFET N-CH 600V 3A TO252

não conforme

R6003KND3TL1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.65772 -
2318 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.5Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 8 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 185 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 44W (Tc)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

FDS6612A
FDS6612A
$0 $/pedaço
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/pedaço
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/pedaço
IXTY8N70X2
IXTY8N70X2
$0 $/pedaço
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
$0 $/pedaço
DMN3033LSN-7
FCH077N65F-F155
FCH077N65F-F155
$0 $/pedaço
STD5406NT4G
STD5406NT4G
$0 $/pedaço

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