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FQD11P06TM

FQD11P06TM

FQD11P06TM

onsemi

MOSFET P-CH 60V 9.4A DPAK

compliant

FQD11P06TM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.26320 -
5,000 $0.24602 -
12,500 $0.23742 -
25,000 $0.23274 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 185mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 17 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 550 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 38W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IXTY8N70X2
IXTY8N70X2
$0 $/pedaço
IRFBE30PBF
IRFBE30PBF
$0 $/pedaço
DMN3033LSN-7
FCH077N65F-F155
FCH077N65F-F155
$0 $/pedaço
STD5406NT4G
STD5406NT4G
$0 $/pedaço
NVMYS1D3N04CTWG
NVMYS1D3N04CTWG
$0 $/pedaço
STL52N60DM6
STL52N60DM6
$0 $/pedaço
IXFK120N20P
IXFK120N20P
$0 $/pedaço

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