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SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

não conforme

SIHB22N60AE-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.42000 $4.42
10 $3.95900 $39.59
100 $3.27110 $327.11
500 $2.67522 $1337.61
1,000 $2.27796 -
3,000 $2.17101 -
5,000 $2.09461 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 180mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1451 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 179W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-263 (D²Pak)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SQJ402EP-T1_GE3
MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/pedaço
P3M12160K3
APT6029BLLG
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
R6003KND3TL1
$0 $/pedaço
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/pedaço
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/pedaço
IPB100N06S3-04

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