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SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

SQJ402EP-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 100V 32A PPAK SO-8

compliant

SQJ402EP-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.68880 -
6,000 $0.65646 -
15,000 $0.63336 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2289 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

MMFT1N10ET1
MMFT1N10ET1
$0 $/pedaço
P3M12160K3
APT6029BLLG
IPT60R102G7XTMA1
R6003KND3TL1
R6003KND3TL1
$0 $/pedaço
FDS6612A
FDS6612A
$0 $/pedaço
FQA24N60
FQA24N60
$0 $/pedaço
IPB100N06S3-04
FQD11P06TM
FQD11P06TM
$0 $/pedaço

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