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IXFH18N60P

IXFH18N60P

IXFH18N60P

IXYS

MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD

não conforme

IXFH18N60P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $3.84767 $115.4301
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 400mOhm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 2.5mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2500 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 360W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

SIDR610EP-T1-RE3
RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/pedaço
STS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG
$0 $/pedaço
HUF76409D3ST
SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/pedaço

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