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SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

SIDR610EP-T1-RE3

Vishay Siliconix

N-CHANNEL 200 V (D-S) 175C MOSFE

compliant

SIDR610EP-T1-RE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.93000 $3.93
500 $3.8907 $1945.35
1000 $3.8514 $3851.4
1500 $3.8121 $5718.15
2000 $3.7728 $7545.6
2500 $3.7335 $9333.75
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 8.9A (Ta), 39.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 7.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 31.9mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 38 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1380 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 7.5W (Ta), 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8DC
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

RFD16N05NL
IRFR210PBF
IRFR210PBF
$0 $/pedaço
STS8N6LF6AG
STS8N6LF6AG
$0 $/pedaço
HUF76409D3ST
SI2333DS-T1-GE3
SQJA84EP-T1_BE3
IRFP4004PBF
BSH205G2AR
BSH205G2AR
$0 $/pedaço
FDD8782
FDD8782
$0 $/pedaço

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