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SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CH 30V 4.5A PPAK SC70-6

compliant

SIA817EDJ-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.19855 -
6,000 $0.18645 -
15,000 $0.17435 -
30,000 $0.16588 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.5A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 23 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 15 V
característica fet Schottky Diode (Isolated)
dissipação de potência (máx.) 1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SC-70-6 Dual
pacote / caixa PowerPAK® SC-70-6 Dual
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Número da peça relacionada

NTB6411ANG
NTB6411ANG
$0 $/pedaço
IXTA3N50D2-TRL
IXTA3N50D2-TRL
$0 $/pedaço
IPT012N06NATMA1
SI2302DDS-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/pedaço

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