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SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

SIR818DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8

compliant

SIR818DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.63140 -
6,000 $0.60176 -
15,000 $0.58058 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 50A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3660 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 69W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/pedaço
NVTR0202PLT1G
NVTR0202PLT1G
$0 $/pedaço
SI2302CDS-T1-GE3
NTMFS4927NT1G
NTMFS4927NT1G
$0 $/pedaço
PXP013-30QLJ
PXP013-30QLJ
$0 $/pedaço
DMN62D0LFD-7
PMF63UN,115
PMF63UN,115
$0 $/pedaço
FCMT199N60
FCMT199N60
$0 $/pedaço

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