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FCP9N60N

FCP9N60N

FCP9N60N

MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3

não conforme

FCP9N60N Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $1.36880 $1095.04
35008 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 9A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 29 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1240 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/pedaço
NVTR0202PLT1G
NVTR0202PLT1G
$0 $/pedaço
SI2302CDS-T1-GE3
NTMFS4927NT1G
NTMFS4927NT1G
$0 $/pedaço
PXP013-30QLJ
PXP013-30QLJ
$0 $/pedaço
DMN62D0LFD-7
PMF63UN,115
PMF63UN,115
$0 $/pedaço
FCMT199N60
FCMT199N60
$0 $/pedaço
BUK7635-55A,118

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