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IPP60R145CFD7XKSA1

IPP60R145CFD7XKSA1

IPP60R145CFD7XKSA1

MOSFET N CH

não conforme

IPP60R145CFD7XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $2.27264 $1136.32
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 16A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 145mOhm @ 6.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 340µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1330 pF @ 400 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

NTB6411ANG
NTB6411ANG
$0 $/pedaço
IXTA3N50D2-TRL
IXTA3N50D2-TRL
$0 $/pedaço
IPT012N06NATMA1
SI2302DDS-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/pedaço

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