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IPT012N06NATMA1

IPT012N06NATMA1

IPT012N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF

não conforme

IPT012N06NATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $2.90786 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 240A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.3V @ 143µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 124 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9750 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 214W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-HSOF-8-1
pacote / caixa 8-PowerSFN
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Número da peça relacionada

SI2302DDS-T1-GE3
SIR818DP-T1-GE3
FCP9N60N
NDD04N50Z-1G
NDD04N50Z-1G
$0 $/pedaço
NVTR0202PLT1G
NVTR0202PLT1G
$0 $/pedaço
SI2302CDS-T1-GE3
NTMFS4927NT1G
NTMFS4927NT1G
$0 $/pedaço
PXP013-30QLJ
PXP013-30QLJ
$0 $/pedaço

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