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IXFN140N25T

IXFN140N25T

IXFN140N25T

IXYS

MOSFET N-CH 250V 120A SOT227B

não conforme

IXFN140N25T Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $22.47800 $224.78
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 250 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 17mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 255 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 19000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 690W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

APT50M85JVFR
NTD6N40T4
NTD6N40T4
$0 $/pedaço
STP5N95K5
STP5N95K5
$0 $/pedaço
SIHG35N60EF-GE3
DMN2028UFDF-13
RW1C025ZPT2CR
IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/pedaço
IRF100S201

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