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PJP35N06A_T0_00001

PJP35N06A_T0_00001

PJP35N06A_T0_00001

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJP35N06A_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.84000 $0.84
500 $0.8316 $415.8
1000 $0.8232 $823.2
1500 $0.8148 $1222.2
2000 $0.8064 $1612.8
2500 $0.798 $1995
51 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.7A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 21mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 28 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1680 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2W (Ta), 104W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/pedaço
IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/pedaço
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/pedaço
IRF644STRRPBF
IRF644STRRPBF
$0 $/pedaço
BUZ21
BUZ21
$0 $/pedaço
STP10NM60ND
STP10NM60ND
$0 $/pedaço
FDI030N06
FDI030N06
$0 $/pedaço

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