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IXFN32N100P

IXFN32N100P

IXFN32N100P

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227B

SOT-23

não conforme

IXFN32N100P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10 $25.03100 $250.31
950 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 27A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 320mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 6.5V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 225 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 14200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 690W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/pedaço
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/pedaço
IRF644STRRPBF
IRF644STRRPBF
$0 $/pedaço
BUZ21
BUZ21
$0 $/pedaço
STP10NM60ND
STP10NM60ND
$0 $/pedaço
FDI030N06
FDI030N06
$0 $/pedaço

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