Welcome to ichome.com!

logo
Lar

SIHG35N60EF-GE3

SIHG35N60EF-GE3

SIHG35N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 32A TO247AC

não conforme

SIHG35N60EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.81000 $7.81
10 $6.99700 $69.97
100 $5.78150 $578.15
500 $4.72834 $2364.17
1,000 $4.02620 -
2,500 $3.83716 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 32A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 97mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 134 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2568 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AC
pacote / caixa TO-247-3
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

DMN2028UFDF-13
RW1C025ZPT2CR
IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/pedaço
IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/pedaço
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.