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RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

RW1C025ZPT2CR

MOSFET P-CH 20V 2.5A 6WEMT

não conforme

RW1C025ZPT2CR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
8,000 $0.10850 -
16,000 $0.10150 -
24,000 $0.09800 -
5 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 65mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1300 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 700mW (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-WEMT
pacote / caixa 6-SMD, Flat Leads
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Número da peça relacionada

IXFN32N100P
IXFN32N100P
$0 $/pedaço
IRF100S201
FDT4N50NZU
FDT4N50NZU
$0 $/pedaço
SIHP065N60E-GE3
NTHD2110TT1G
NTHD2110TT1G
$0 $/pedaço
IRF644STRRPBF
IRF644STRRPBF
$0 $/pedaço
BUZ21
BUZ21
$0 $/pedaço

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