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SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

SIJ478DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8

não conforme

SIJ478DP-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.77572 -
6,000 $0.73930 -
15,000 $0.71328 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.6V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 54 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1855 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Ta), 62.5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® SO-8
pacote / caixa PowerPAK® SO-8
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Número da peça relacionada

SISH410DN-T1-GE3
STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP
$0 $/pedaço
FQP3P20
FQP3P20
$0 $/pedaço
BUK9516-55A,127
BUK9516-55A,127
$0 $/pedaço
IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
$0 $/pedaço
IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/pedaço
FDD6606
FDD6606
$0 $/pedaço
IRFS7530TRL7PP

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