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SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 20V 22A/35A PPAK

não conforme

SISH410DN-T1-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.51004 -
6,000 $0.48609 -
15,000 $0.46899 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Ta), 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1600 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PowerPAK® 1212-8SH
pacote / caixa PowerPAK® 1212-8SH
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Número da peça relacionada

STQ1NC45R-AP
STQ1NC45R-AP
$0 $/pedaço
FQP3P20
FQP3P20
$0 $/pedaço
BUK9516-55A,127
BUK9516-55A,127
$0 $/pedaço
IXTT12N150HV
IXTT12N150HV
$0 $/pedaço
IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/pedaço
FDD6606
FDD6606
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IRFS7530TRL7PP
SI2356DS-T1-BE3

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