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FDD6606

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MOSFET N-CH 30V 75A DPAK

FDD6606 Ficha de dados

não conforme

FDD6606 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.72000 $0.72
500 $0.7128 $356.4
1000 $0.7056 $705.6
1500 $0.6984 $1047.6
2000 $0.6912 $1382.4
2500 $0.684 $1710
214667 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2400 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 71W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252, (D-Pak)
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

IRFS7530TRL7PP
SI2356DS-T1-BE3
DMN3200U-7
DMN3200U-7
$0 $/pedaço
FQB9N50CFTM
NTP18N06LG
NTP18N06LG
$0 $/pedaço
IRFB4115PBF
PMN30UNEX
PMN30UNEX
$0 $/pedaço
IXFQ72N20X3
IXFQ72N20X3
$0 $/pedaço
SIRC16DP-T1-RE3

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