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IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXTT12N150HV

IXYS

MOSFET N-CH 1500V 12A TO268

SOT-23

não conforme

IXTT12N150HV Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $40.33000 $40.33
30 $34.88000 $1046.4
120 $32.70000 $3924
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 106 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3720 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 890W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

IXTZ550N055T2
IXTZ550N055T2
$0 $/pedaço
FDD6606
FDD6606
$0 $/pedaço
IRFS7530TRL7PP
SI2356DS-T1-BE3
DMN3200U-7
DMN3200U-7
$0 $/pedaço
FQB9N50CFTM
NTP18N06LG
NTP18N06LG
$0 $/pedaço
IRFB4115PBF
PMN30UNEX
PMN30UNEX
$0 $/pedaço

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