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SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

SIHB33N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK

compliant

SIHB33N60EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.41000 $7.41
10 $6.69500 $66.95
100 $5.55100 $555.1
500 $4.69300 $2346.5
1,000 $4.12100 -
2,500 $3.97800 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 33A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 98mOhm @ 16.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3454 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 278W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

DI9435T
DI9435T
$0 $/pedaço
FDB8444
FDB8444
$0 $/pedaço
SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/pedaço
FDD8870
FDD8870
$0 $/pedaço
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/pedaço
SPP08N80C3XKSA1
IPD50R500CEBTMA1
BUK7M17-80EX
BUK7M17-80EX
$0 $/pedaço

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