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FDB8444

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 70A TO263AB

FDB8444 Ficha de dados

compliant

FDB8444 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $2.43000 $2.43
500 $2.4057 $1202.85
1000 $2.3814 $2381.4
1500 $2.3571 $3535.65
2000 $2.3328 $4665.6
2500 $2.3085 $5771.25
525 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 70A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 128 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8035 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 167W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

SIA466EDJ-T1-GE3
NTMFS4119NT1G
NTMFS4119NT1G
$0 $/pedaço
FDD8870
FDD8870
$0 $/pedaço
IXTP24P085T
IXTP24P085T
$0 $/pedaço
SPP08N80C3XKSA1
IPD50R500CEBTMA1
BUK7M17-80EX
BUK7M17-80EX
$0 $/pedaço
R8006KND3TL1
R8006KND3TL1
$0 $/pedaço
IRFU130ATU

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