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IPD50R500CEBTMA1

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MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3

não conforme

IPD50R500CEBTMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
Call $Call -
28 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Discontinued at Digi-Key
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 500 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 13V
rds em (máx.) @ id, vgs 500mOhm @ 2.3A, 13V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 200µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18.7 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 433 pF @ 100 V
característica fet Super Junction
dissipação de potência (máx.) 57W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO252-3-11
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

BUK7M17-80EX
BUK7M17-80EX
$0 $/pedaço
R8006KND3TL1
R8006KND3TL1
$0 $/pedaço
IRFU130ATU
SIJA52DP-T1-GE3
FQP6N40C
FQP6N40C
$0 $/pedaço
SI4874BDY-T1-GE3
SPD30N08S2-22
SQJQ112E-T1_GE3

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