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PJQ5440-AU_R2_000A1

PJQ5440-AU_R2_000A1

PJQ5440-AU_R2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

compliant

PJQ5440-AU_R2_000A1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.86000 $1.86
500 $1.8414 $920.7
1000 $1.8228 $1822.8
1500 $1.8042 $2706.3
2000 $1.7856 $3571.2
2500 $1.767 $4417.5
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Ta), 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 50 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5214 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.4W (Ta), 83.3W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN5060-8
pacote / caixa 8-PowerVDFN
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Número da peça relacionada

R8006KND3TL1
R8006KND3TL1
$0 $/pedaço
IRFU130ATU
SIJA52DP-T1-GE3
FQP6N40C
FQP6N40C
$0 $/pedaço
SI4874BDY-T1-GE3
SPD30N08S2-22
SQJQ112E-T1_GE3
BUK653R4-40C,127
BUK653R4-40C,127
$0 $/pedaço

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