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BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

BUK653R4-40C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 40V 100A TO220AB

não conforme

BUK653R4-40C,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 125 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8020 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 204W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

BUZ323
BUZ323
$0 $/pedaço
SI2310B-TP
SI2310B-TP
$0 $/pedaço
IRF7240TRPBF
STW20N95DK5
STW20N95DK5
$0 $/pedaço
NVMYS8D0N04CTWG
NVMYS8D0N04CTWG
$0 $/pedaço
IPI60R385CPXKSA1
PSMNR90-30BL,118
IRFD9113
IRFD9113
$0 $/pedaço

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