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SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

SIE818DF-T1-E3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK

não conforme

SIE818DF-T1-E3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $2.09209 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 75 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 60A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9.5mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 95 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3200 pF @ 38 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5.2W (Ta), 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 10-PolarPAK® (L)
pacote / caixa 10-PolarPAK® (L)
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Número da peça relacionada

IXFA7N100P-TRL
IXFA7N100P-TRL
$0 $/pedaço
DN2625K4-G
DN2625K4-G
$0 $/pedaço
RUC002N05T116
FDI038AN06A0
FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/pedaço
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/pedaço
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/pedaço

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