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SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3

SQ3425EV-T1_GE3

Vishay Siliconix

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP

não conforme

SQ3425EV-T1_GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.24552 -
6,000 $0.22968 -
15,000 $0.21384 -
30,000 $0.20275 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 20 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 7.4A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 2.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 60mOhm @ 4.7A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 10.3 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±12V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 840 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 5W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 6-TSOP
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/pedaço
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
DMN3023L-7
$0 $/pedaço
SIHB22N60AEL-GE3
HUF75545S3S
DMP58D0LFB-7
PSMN3R7-100BSEJ
FQP2NA90

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