Welcome to ichome.com!

logo
Lar

FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

FDI038AN06A0

MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK

não conforme

FDI038AN06A0 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.64514 $2116.112
1809 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 17A (Ta), 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 124 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6400 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 310W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I2PAK (TO-262)
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/pedaço
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/pedaço
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/pedaço
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
DMN3023L-7
$0 $/pedaço
SIHB22N60AEL-GE3
HUF75545S3S

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.