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IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

IPB017N06N3GATMA1

MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7

compliant

IPB017N06N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $2.58612 -
2,000 $2.45682 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 180A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 196µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 275 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 23000 pF @ 30 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-7
pacote / caixa TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
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Número da peça relacionada

RUC002N05T116
FDI038AN06A0
FCH47N60-F133
FCH47N60-F133
$0 $/pedaço
CSD16322Q5
CSD16322Q5
$0 $/pedaço
SQ3425EV-T1_GE3
IRFBC30APBF
IRFBC30APBF
$0 $/pedaço
AUIRLZ44ZL
DMN3023L-7
DMN3023L-7
$0 $/pedaço
SIHB22N60AEL-GE3

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