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NTMFS5832NLT1G

NTMFS5832NLT1G

NTMFS5832NLT1G

onsemi

MOSFET N-CH 40V 20A/111A 5DFN

SOT-23

não conforme

NTMFS5832NLT1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.41745 -
3,000 $0.38962 -
7,500 $0.37014 -
10,500 $0.35622 -
1 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Ta), 111A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 51 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 96W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
pacote / caixa 8-PowerTDFN, 5 Leads
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Número da peça relacionada

BUK654R6-55C,127
BUK654R6-55C,127
$0 $/pedaço
IXTT140N10P
IXTT140N10P
$0 $/pedaço
IXTQ96N15P
IXTQ96N15P
$0 $/pedaço
ZXM61N02FTA
ZXM61N02FTA
$0 $/pedaço
IXFB170N30P
IXFB170N30P
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ADP3415LRMZ-REEL
STWA57N65M5
STWA57N65M5
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APT56F50B2
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FDA59N30
FDA59N30
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