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IXTT140N10P

IXTT140N10P

IXTT140N10P

IXYS

MOSFET N-CH 100V 140A TO268

não conforme

IXTT140N10P Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $7.40000 $7.4
30 $6.06800 $182.04
120 $5.47600 $657.12
510 $4.58800 $2339.88
1,020 $4.14400 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 140A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V, 15V
rds em (máx.) @ id, vgs 11mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 155 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 600W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-268AA
pacote / caixa TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
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Número da peça relacionada

IXTQ96N15P
IXTQ96N15P
$0 $/pedaço
ZXM61N02FTA
ZXM61N02FTA
$0 $/pedaço
IXFB170N30P
IXFB170N30P
$0 $/pedaço
ADP3415LRMZ-REEL
STWA57N65M5
STWA57N65M5
$0 $/pedaço
APT56F50B2
APT56F50B2
$0 $/pedaço
FDA59N30
FDA59N30
$0 $/pedaço
SIHP16N50C-BE3
SIHP16N50C-BE3
$0 $/pedaço
5HN01M-TL-E
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