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IPB054N08N3GATMA1

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MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK

não conforme

IPB054N08N3GATMA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,000 $0.85731 -
2,000 $0.79819 -
5,000 $0.76863 -
10,000 $0.75250 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.4mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 90µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 69 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4750 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 150W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO263-3
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

APT56F50B2
APT56F50B2
$0 $/pedaço
FDA59N30
FDA59N30
$0 $/pedaço
SIHP16N50C-BE3
SIHP16N50C-BE3
$0 $/pedaço
5HN01M-TL-E
5HN01M-TL-E
$0 $/pedaço
IXFX420N10T
IXFX420N10T
$0 $/pedaço
DMN2026UVT-13
NTMFS6H800NT1G
NTMFS6H800NT1G
$0 $/pedaço
SI1424EDH-T1-BE3

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