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BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

BUK654R6-55C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 55V 100A TO220AB

não conforme

BUK654R6-55C,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.70000 $0.7
500 $0.693 $346.5
1000 $0.686 $686
1500 $0.679 $1018.5
2000 $0.672 $1344
2500 $0.665 $1662.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 124 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7750 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 204W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IXTT140N10P
IXTT140N10P
$0 $/pedaço
IXTQ96N15P
IXTQ96N15P
$0 $/pedaço
ZXM61N02FTA
ZXM61N02FTA
$0 $/pedaço
IXFB170N30P
IXFB170N30P
$0 $/pedaço
ADP3415LRMZ-REEL
STWA57N65M5
STWA57N65M5
$0 $/pedaço
APT56F50B2
APT56F50B2
$0 $/pedaço
FDA59N30
FDA59N30
$0 $/pedaço
SIHP16N50C-BE3
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