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NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

onsemi

MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAK

compliant

NDD02N40-1G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 400 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.7A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.5Ohm @ 220mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 5.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 121 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 39W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I-Pak
pacote / caixa TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Número da peça relacionada

NTBV5605T4G
NTBV5605T4G
$0 $/pedaço
IRF7604TR
IRF7604TR
$0 $/pedaço
SPI80N03S2L-06
FDS6298_G
FDS6298_G
$0 $/pedaço
IPD800N06NGBTMA1
SPB80N06S2L-06
FQB12N60CTM
FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/pedaço

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