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FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

FQB12N60CTM

MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK

compliant

FQB12N60CTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 650mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2290 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 225W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/pedaço
FQI27P06TU
FQI27P06TU
$0 $/pedaço
AUIRLS3036-7P
SI5463EDC-T1-E3
FQD6N25TF
FQD6N25TF
$0 $/pedaço
SI5486DU-T1-GE3
2N6661JTXP02
2N6661JTXP02
$0 $/pedaço
IXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2
$0 $/pedaço
BSS138-7
BSS138-7
$0 $/pedaço

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