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2N6661JTXP02

2N6661JTXP02

2N6661JTXP02

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 90V 860MA TO39

compliant

2N6661JTXP02 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 90 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 860mA (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4Ohm @ 1A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 50 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-39
pacote / caixa TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
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Número da peça relacionada

IXFR38N80Q2
IXFR38N80Q2
$0 $/pedaço
BSS138-7
BSS138-7
$0 $/pedaço
FDMF6823
IRF3415STRRPBF
FQA46N15_F109
FQA46N15_F109
$0 $/pedaço
SIE832DF-T1-GE3
IRLU110
IRLU110
$0 $/pedaço
AUIRFR3710Z

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