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NTBV5605T4G

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onsemi

MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK

compliant

NTBV5605T4G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.5A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V
rds em (máx.) @ id, vgs 140mOhm @ 8.5A, 5V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 22 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1190 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 88W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF7604TR
IRF7604TR
$0 $/pedaço
SPI80N03S2L-06
FDS6298_G
FDS6298_G
$0 $/pedaço
IPD800N06NGBTMA1
SPB80N06S2L-06
FQB12N60CTM
FQP9N25C
IRFL014TR
IRFL014TR
$0 $/pedaço
FQI27P06TU
FQI27P06TU
$0 $/pedaço

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