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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Active |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 30 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 27A (Ta), 32A (Tc) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4.5V, 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.4V @ 250µA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 40 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 1975 pF @ 15 V |
| característica fet | Schottky Diode (Body) |
| dissipação de potência (máx.) | 4.1W (Ta), 41W (Tc) |
| temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| tipo de montagem | Surface Mount |
| pacote de dispositivo do fornecedor | 8-DFN (5x6) |
| pacote / caixa | 8-VDFN Exposed Pad |
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