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FDB8441

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onsemi

MOSFET N-CH 40V 28A/120A TO263AB

FDB8441 Ficha de dados

não conforme

FDB8441 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.63000 $3.63
500 $3.5937 $1796.85
1000 $3.5574 $3557.4
1500 $3.5211 $5281.65
2000 $3.4848 $6969.6
2500 $3.4485 $8621.25
8 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Last Time Buy
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 40 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 28A (Ta), 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 280 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 15000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQA90N08
FQA90N08
$0 $/pedaço
2N7000-D26Z
2N7000-D26Z
$0 $/pedaço
IXFH12N100F
IXFH12N100F
$0 $/pedaço
FDB024N08BL7
FDB024N08BL7
$0 $/pedaço
STI300N4F6
STI300N4F6
$0 $/pedaço
IXFN80N60P3
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NTZS3151PT1G
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$0 $/pedaço

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