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IXFH12N100F

IXFH12N100F

IXFH12N100F

IXYS

MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD

não conforme

IXFH12N100F Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
30 $8.26167 $247.8501
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 1000 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 12A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.05Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5.5V @ 4mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2700 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247AD (IXFH)
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

FDB024N08BL7
FDB024N08BL7
$0 $/pedaço
STI300N4F6
STI300N4F6
$0 $/pedaço
IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
$0 $/pedaço
NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G
$0 $/pedaço
HUFA76407D3ST
RYC002N05T316
NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/pedaço

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