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IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

IXFN80N60P3

IXYS

MOSFET N-CH 600V 66A SOT-227B

compliant

IXFN80N60P3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $21.20000 $21.2
10 $19.61000 $196.1
100 $16.74800 $1674.8
500 $14.84000 $7420
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 66A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 70mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 8mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 190 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13100 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 960W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Chassis Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-227B
pacote / caixa SOT-227-4, miniBLOC
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Número da peça relacionada

NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G
$0 $/pedaço
HUFA76407D3ST
RYC002N05T316
NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/pedaço
FQAF27N25
NVMFS5C646NLWFAFT1G
NVMFS5C646NLWFAFT1G
$0 $/pedaço
IPB044N15N5ATMA1
FDMC86340ET80
FDMC86340ET80
$0 $/pedaço

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