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PJP18N20_T0_00001

PJP18N20_T0_00001

PJP18N20_T0_00001

TO-220AB, MOSFET

não conforme

PJP18N20_T0_00001 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.11000 $1.11
500 $1.0989 $549.45
1000 $1.0878 $1087.8
1500 $1.0767 $1615.05
2000 $1.0656 $2131.2
2500 $1.0545 $2636.25
1928 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 160mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 24 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1017 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 89W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDB024N08BL7
FDB024N08BL7
$0 $/pedaço
STI300N4F6
STI300N4F6
$0 $/pedaço
IXFN80N60P3
IXFN80N60P3
$0 $/pedaço
NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G
$0 $/pedaço
HUFA76407D3ST
RYC002N05T316
NVMYS014N06CLTWG
NVMYS014N06CLTWG
$0 $/pedaço
FQAF27N25

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