Welcome to ichome.com!

logo
Lar

FDB2572

FDB2572

FDB2572

onsemi

MOSFET N-CH 150V 4A/29A TO263AB

FDB2572 Ficha de dados

não conforme

FDB2572 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.93551 $748.408
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 150 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta), 29A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 54mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1770 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 135W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
O carregamento do PDF falhou, você pode tentar abrir em uma nova janela para acessar [Abrir], ou clique para retornar

Número da peça relacionada

NVHL050N65S3HF
NVHL050N65S3HF
$0 $/pedaço
SIHB22N60EF-GE3
FQI4N20TU
IPA60R190E6XKSA1
DMP2033UVT-7
IPT015N10N5ATMA1
RM3404
RM3404
$0 $/pedaço

Seu parceiro confiável em eletrônicos

Dedicado a exceder suas expectativas. IChome: Atendimento ao cliente redefinido para a indústria eletrônica.