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FQI4N20TU

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MOSFET N-CH 200V 3.6A I2PAK

compliant

FQI4N20TU Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.31000 $0.31
500 $0.3069 $153.45
1000 $0.3038 $303.8
1500 $0.3007 $451.05
2000 $0.2976 $595.2
2500 $0.2945 $736.25
5000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.4Ohm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6.5 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.13W (Ta), 45W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor I2PAK (TO-262)
pacote / caixa TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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Número da peça relacionada

IPA60R190E6XKSA1
DMP2033UVT-7
IPT015N10N5ATMA1
RM3404
RM3404
$0 $/pedaço
NVMFS6H824NLWFT1G
NVMFS6H824NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRF1010NPBF
IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
$0 $/pedaço

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