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IPA60R190E6XKSA1

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IPA60R190E6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP

não conforme

IPA60R190E6XKSA1 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
500 $2.10772 $1053.86
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
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Nome Valor
status do produto Not For New Designs
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20.2A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3.5V @ 630µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1400 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 34W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor PG-TO220-FP
pacote / caixa TO-220-3 Full Pack
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Número da peça relacionada

DMP2033UVT-7
IPT015N10N5ATMA1
RM3404
RM3404
$0 $/pedaço
NVMFS6H824NLWFT1G
NVMFS6H824NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRF1010NPBF
IXTH60N20X4
IXTH60N20X4
$0 $/pedaço
STD13N60M6
STD13N60M6
$0 $/pedaço
IXTP120N04T2
IXTP120N04T2
$0 $/pedaço

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