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SIHB22N60EF-GE3

SIHB22N60EF-GE3

SIHB22N60EF-GE3

Vishay Siliconix

MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK

não conforme

SIHB22N60EF-GE3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $3.73000 $3.73
500 $3.6927 $1846.35
1000 $3.6554 $3655.4
1500 $3.6181 $5427.15
2000 $3.5808 $7161.6
2500 $3.5435 $8858.75
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 182mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 96 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1423 pF @ 100 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 179W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQI4N20TU
IPA60R190E6XKSA1
DMP2033UVT-7
IPT015N10N5ATMA1
RM3404
RM3404
$0 $/pedaço
NVMFS6H824NLWFT1G
NVMFS6H824NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRF1010NPBF

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